FQD2N60C是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它被廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)和功率管理電路中,如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓以及快速開�(guān)特�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
這款MOSFET由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)制�,能夠提供出色的性能表現(xiàn),尤其是在高壓條件下�
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
最大連續(xù)漏極電流�4.3A
最大脈沖漏極電流:15A
�(dǎo)通電阻:2.8Ω
總柵極電荷:25nC
輸入電容�470pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQD2N60C具備以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓(600V),適合于多種高壓應(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(2.8Ω典型值),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升效率�
3. 快速開�(guān)速度,得益于其較小的總柵極電��
4. 良好的熱�(wěn)定�,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 小巧封裝�(shè)�,易于集成到緊湊型系�(tǒng)中�
此款MOSFET適用于廣泛的電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. 各種類型的電機驅(qū)動電��
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)��
4. LED照明控制及調(diào)��
5. 電池充電器以及其他需要高效功率管理的場合�
IRF640N, STP12NM60, FDN60C