FQD3N30是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合需要高效能和低損耗的�(yīng)用場��
這款MOSFET在設(shè)�(jì)上注重了�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),從而降低了開關(guān)損耗,并且其出色的熱性能保證了長期運(yùn)行中的穩(wěn)定��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:9mΩ
柵源開啟電壓�2.1V
總柵極電荷:47nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQD3N30具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效減少傳導(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 高度�(wěn)定的電氣性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持一致的表現(xiàn)�
4. 低柵極電荷(Qg�,有助于降低�(qū)�(dòng)功��
5. TO-252封裝形式,提供良好的散熱性能同時(shí)便于安裝和使用�
FQD3N30廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
由于其高性能參數(shù)和可靠�,它在高效率和高功率密度的設(shè)�(jì)中表�(xiàn)尤為突出�
IRF3710
STP18NF06L
FDP18N06L