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FQD3P20 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 17:45:09 查看 閱讀�30

FQD3P20是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路中。該器件具有低導(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域�
  FQD3P20的封裝形式通常為TO-220或TO-252,這使其非常適合用于散熱要求較高的�(yīng)用環(huán)�。其典型�(yīng)用場景包括但不限于直流電�(jī)�(qū)�、電源管理模�、負(fù)載切換以及逆變器等�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�2A
  柵極電荷�45nC
  �(dǎo)通電阻:1.8Ω
  最大工作結(jié)溫:175�
  存儲溫度范圍�-55℃至150�

特�

FQD3P20具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)600V的最大漏源電壓,適合高壓系統(tǒng)中的使用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅�1.8Ω,有助于減少功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷量(45nC)確保了較快的開�(guān)速度,降低了開關(guān)損��
  4. 高可靠性:采用先�(jìn)的制造工�,具有出色的電氣�(wěn)定性和�(jī)械強(qiáng)度�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠�-55℃至175℃的�(jié)溫范圍內(nèi)可靠�(yùn)�,適�(yīng)多種�(huán)境條��
  6. 小巧封裝:TO-220或TO-252封裝提供了良好的散熱性能和安裝靈活��

�(yīng)�

FQD3P20主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的功率開�(guān)�
  2. 直流電機(jī)控制與驅(qū)��
  3. 電池保護(hù)電路及負(fù)載切換�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的過流保�(hù)和高效能量管��
  6. 光伏逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元�
  由于其高壓特性和低功耗表�(xiàn),F(xiàn)QD3P20特別適合需要高效率和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��

替代型號

FQP2N60C
  IRFZ44N
  STP2NK60Z

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