FQD4N20TM 是一� N 滬道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),廣泛應用于開關電�、電機驅(qū)動、逆變器等電路�。該器件采用 TO-252 封裝形式,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠滿足高效能應用的需��
這款 MOSFET 適用于中小功率場�,其耐壓能力高達 200V,同時具備良好的電流處理能力和熱�(wěn)定性,非常適合于消費電�、工�(yè)控制以及其他需要穩(wěn)定性能的領域�
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.3A
導通電阻(Rds(on)):1.1Ω(典型�,Vgs=10V�
總功耗:1.3W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-252
FQD4N20TM 的主要特點是其較低的導通電�,這有助于減少導通狀�(tài)下的功率損�,從而提升整體效�。此�,該器件還具有快速開關能�,可以有效降低開關損��
� MOSFET 的柵極閾值電壓較低,易于�(qū)動,特別適合電池供電設備或其他低電壓應用場景�
在設計上,它采用了先進的制造工�,確保了較高的可靠性和�(wěn)定�,即使在極端溫度條件下也能保持優(yōu)良性能�
另外,由于其較小的封裝尺寸,非常適合對空間要求較高的應用場合�
FQD4N20TM 廣泛用于多種電子電路�,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的開關元�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級
3. 逆變器與 DC-DC �(zhuǎn)換器
4. LED �(qū)動電�
5. 電池保護及充電管�
6. 各種負載切換和保護電�
其高耐壓和低導通電阻使其成為這些應用的理想選擇�
FQP47P06,
FQP50N06L,
IRF540N,
STP4NB60Z