時間：2025/5/15 11:24:20
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FQD4N20TM 是一款 N 滬道增強型功率場效應晶體管（MOSFET），廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器等電路中。該器件采用 TO-252 封裝形式，具有低導通電阻和高開關速度的特點，能夠滿足高效能應用的需求。
這款 MOSFET 適用于中小功率場景，其耐壓能力高達 200V，同時具備良好的電流處理能力和熱穩(wěn)定性，非常適合于消費電子、工業(yè)控制以及其他需要穩(wěn)定性能的領域。
最大漏源電壓：200V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：4.3A
導通電阻（Rds(on)）：1.1Ω（典型值，Vgs=10V）
總功耗：1.3W
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-252
FQD4N20TM 的主要特點是其較低的導通電阻，這有助于減少導通狀態(tài)下的功率損耗，從而提升整體效率。此外，該器件還具有快速開關能力，可以有效降低開關損耗。
該 MOSFET 的柵極閾值電壓較低，易于驅(qū)動，特別適合電池供電設備或其他低電壓應用場景。
在設計上，它采用了先進的制造工藝，確保了較高的可靠性和穩(wěn)定性，即使在極端溫度條件下也能保持優(yōu)良性能。
另外，由于其較小的封裝尺寸，非常適合對空間要求較高的應用場合。
FQD4N20TM 廣泛用于多種電子電路中，包括但不限于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的開關元件
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級
3. 逆變器與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
4. LED 驅(qū)動電路
5. 電池保護及充電管理
6. 各種負載切換和保護電路
其高耐壓和低導通電阻使其成為這些應用的理想選擇。
FQP47P06,
FQP50N06L,
IRF540N,
STP4NB60Z
