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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FQD4N60

FQD4N60 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 13:08:10 查看 閱讀�20

FQD4N60是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,廣泛應用于各種開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及負載開關等場景��
  由于其出色的電氣性能和可靠�,F(xiàn)QD4N60成為眾多工程師在設計高效能功率轉換電路時的首選器��

參數

最大漏源極電壓�600V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  導通電阻:1.7Ω(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�29nC(典型值)
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQD4N60具備以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力:其600V的最大漏源極電壓使其適用于高壓應用環(huán)��
  2. 低導通電阻:�1.7Ω(典型值),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開關速度:低柵極電荷特性允許快速開關操�,減少開關損耗�
  4. 小尺寸封裝:TO-252封裝提供了緊湊的設計選項,節(jié)省PCB空間�
  5. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作溫度范圍,適應惡劣的工作條件�

應用

FQD4N60可廣泛用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS):作為主開關或同步整流器件使用�
  2. DC-DC轉換器:提供高效的功率轉換功能�
  3. 電機驅動:適用于小型直流電機控制�
  4. 負載開關:保護電路免受過流或其他異常情況影響�
  5. 其他工業(yè)和消費類電子設備中的功率管理模塊�

替代型號

IRF640N
  FQP16N60
  STP4NB60

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