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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQD4N65C

FQD4N65C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 15:28:28 查看 閱讀�21

FQD4N65C 是一� N 滬道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于高頻開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,廣泛用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 650V,適合在高電壓環(huán)境下工作,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�7.3A
  柵極閾值電壓:2~4V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2Ω
  總功耗:22W
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

1. 高電壓承受能�,最大漏源電壓高�(dá) 650V�
  2. 較低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)��
  4. 柵極電荷較小,驅(qū)�(dòng)�(jiǎn)單�
  5. 良好的雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  6. 小尺寸封�,便于電路板布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
  3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換元件�
  4. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 各種工業(yè)電子�(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

IRF640N
  FQP14N65C
  STP12NM65
  IXTP14N65L2

fqd4n65c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)