FQD4N65C 是一� N 滬道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于高頻開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,廣泛用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)域�
這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 650V,適合在高電壓環(huán)境下工作,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�7.3A
柵極閾值電壓:2~4V
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2Ω
總功耗:22W
工作溫度范圍�-55℃~150�
1. 高電壓承受能�,最大漏源電壓高�(dá) 650V�
2. 較低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)��
4. 柵極電荷較小,驅(qū)�(dòng)�(jiǎn)單�
5. 良好的雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
6. 小尺寸封�,便于電路板布局�(shè)�(jì)�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換元件�
4. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 各種工業(yè)電子�(shè)備中的功率管理模��
IRF640N
FQP14N65C
STP12NM65
IXTP14N65L2