FQD4N65C 是一款 N 滬道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于高頻開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。
這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 650V,適合在高電壓環(huán)境下工作,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:7.3A
柵極閾值電壓:2~4V
導(dǎo)通電阻(典型值):1.2Ω
總功耗:22W
工作溫度范圍:-55℃~150℃
1. 高電壓承受能力,最大漏源電壓高達(dá) 650V。
2. 較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用。
4. 柵極電荷較小,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。
5. 良好的雪崩耐量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
6. 小尺寸封裝,便于電路板布局設(shè)計(jì)。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換元件。
4. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
5. 各種工業(yè)電子設(shè)備中的功率管理模塊。
IRF640N
FQP14N65C
STP12NM65
IXTP14N65L2