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FQD4N65C 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 15:28:28 查看 閱讀：21

FQD4N65C 是一款 N 滬道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于高頻開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。
　　這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 650V，適合在高電壓環(huán)境下工作，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：7.3A
　　柵極閾值電壓：2~4V
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2Ω
　　總功耗：22W
　　工作溫度范圍：-55℃~150℃

特性

1. 高電壓承受能力，最大漏源電壓高達(dá) 650V。
　　2. 較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用。
　　4. 柵極電荷較小，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。
　　5. 良好的雪崩耐量能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　6. 小尺寸封裝，便于電路板布局設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
　　3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換元件。
　　4. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　5. 各種工業(yè)電子設(shè)備中的功率管理模塊。

替代型號(hào)

IRF640N
　　FQP14N65C
　　STP12NM65
　　IXTP14N65L2

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