FQD5N15是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)和放大應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及良好的耐熱性能。這種MOSFET適用于多種電源管理場(chǎng)景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等�
最大漏源電壓:150V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:5A
�(dǎo)通電阻:0.4Ω
總功耗:135W
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQD5N15具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,在高電流條件下能有效減少功率損��
3. 快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 緊湊的封裝形式使其易于集成到各種電路�(shè)�(jì)��
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的電子開關(guān)�
3. 電池保護(hù)與管理系�(tǒng)中的�(fù)載控��
4. DC-DC�(zhuǎn)換器和LED�(qū)�(dòng)器中的高效切換元件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸模��
IRF540N
STP55NF06
FQP50N06L