FQD5N50C是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等場景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,適合中高功率的�(yīng)用場��
該器件采用TO-220封裝形式,具有良好的散熱性能和可靠性。其工作原理是通過在柵極施加電壓來控制漏極和源極之間的電流流動,從而實�(xiàn)開關(guān)或調(diào)節(jié)功能�
最大漏源電壓:500V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω
總功耗:86W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓(500V�,適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)計�
2. 較低的導(dǎo)通電阻(1.3Ω),有助于減少功率損��
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻應(yīng)用�
4. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,易于安裝并具備良好的散熱性能�
5. 工作溫度范圍�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
FQD5N50C主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的開�(guān)器件�
3. 逆變器中的功率級開關(guān)�
4. 電池充電�、DC-DC�(zhuǎn)換器等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備�
5. 各類工業(yè)控制及家電產(chǎn)品中的負(fù)載切換控��
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L