FQD6N25是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅�、負載開關等需要高效能和低導通損耗的場景中。其耐壓值為250V,能夠承受較高的反向電壓,并且具有較低的導通電阻以減少功率損耗�
最大漏源電壓:250V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏電流:6A
導通電阻(Rds(on)):0.35Ω(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:115W
結溫范圍�-55℃至+150�
FQD6N25具備以下主要特性:
1. 高擊穿電�,可支持高達250V的工作環(huán)�,適用于多種高壓應用場合�
2. 低導通電阻設�,能夠有效降低導通狀�(tài)下的功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,減少了開關過程中的能量損�,非常適合高頻開關電��
4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較高溫度范圍內可靠運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計,適合�(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需��
FQD6N25的應用領域包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS),用于主開關管或同步整流管�
2. DC-DC轉換器,作為高頻開關元件�
3. 電機驅動電路,用于控制直流電機的速度和方向�
4. 負載開關,用于保護電路免受過載或短路影響�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用作充放電控制開��
6. 各種工業(yè)自動化設備及家電�(chǎn)品中的功率控制部分�
IRF640N, K1208, FQP50N06L