FQD6N60C 是一� N 滬硅晶圓制造的高壓功率 MOSFET,主要用于開�(guān)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)� DMOS 工藝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點,能夠在高頻和高壓環(huán)境下保持高效性能�
這款 MOSFET 的封裝形式通常� TO-220,具備良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定�,適合多種工�(yè)和消費類電子�(yīng)��
型號:FQD6N60C
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電� Vds�600V
最大柵源電� Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流 Id�6A
最大脈沖漏極電� Ibm�36A
�(dǎo)通電� Rds(on)�5.5Ω(在 Vgs=10V 時)
總功� Ptot�140W
工作溫度范圍 Tj�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-220
FQD6N60C 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其 600V 的漏源電壓使其能夠承受較高的工作電壓,非常適合高壓電路的�(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻:在柵極驅(qū)動電壓為 10V �,導(dǎo)通電阻僅� 5.5Ω,可有效降低功率損��
3. 快速開�(guān)速度:由于采用了先�(jìn)� DMOS 技�(shù),該器件具備較低的輸入電容和輸出電容,從而實�(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
4. 良好的熱性能:TO-220 封裝提供了出色的散熱能力,使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運��
5. 高可靠性:通過�(yán)格的工藝控制和測試流�,確保了器件在各種嚴(yán)苛條件下的可靠��
FQD6N60C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效� DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換電路中,提供穩(wěn)定的電源輸出�
2. 逆變器:在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�,作為主功率開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動:適用于家用電�、工�(yè)�(shè)備中的無刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)動電��
4. 電磁閥控制:用于工業(yè)自動化設(shè)備中,控制電磁閥的開��
5. 電池充電器:在高性能充電器中,用作開�(guān)管以實現(xiàn)快速充電功��
FQP50N60C, IRF640, STP6NK60Z