FQD7N20是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TO-220封裝形式,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他電力電子設備�。其主要特點是低導通電阻和高擊穿電壓,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和良好的熱性能�
FQD7N20的設計使其能夠在高壓條件下穩(wěn)定工�,并具備快速開�(guān)速度以減少開�(guān)損耗。此�,該芯片還具有較低的柵極電荷,有助于提高整體系統(tǒng)的效��
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏電流:7A
最大脈沖漏電流�35A
最大功耗:40W
�(jié)溫范圍:-55℃至150�
導通電阻:0.28Ω
柵極電荷�16nC
輸入電容�520pF
總電容:1650pF
存儲溫度范圍�-55℃至150�
1. 高擊穿電壓(200V�,適合高壓應用環(huán)��
2. 低導通電阻(0.28Ω�,降低導通損�,提升效��
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,適用于高頻電路�
4. 較低的柵極電�,簡化驅(qū)動設計并降低�(qū)動功耗�
5. 良好的熱�(wěn)定�,支持長時間�(wěn)定運行�
6. 封裝形式為TO-220,便于安裝與散熱設計�
7. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至150℃),適應多種惡劣環(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動和控制
4. 逆變�
5. LED�(qū)動電�
6. 工業(yè)自動化設�
7. 電池充電管理系統(tǒng)
8. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合
IRFZ44N
STP7NK60Z
FQP17N20
IXTH24N20L