FQD7N20是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TO-220封裝形式,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和其他電力電子設備中。其主要特點是低導通電阻和高擊穿電壓,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和良好的熱性能。
FQD7N20的設計使其能夠在高壓條件下穩(wěn)定工作,并具備快速開關(guān)速度以減少開關(guān)損耗。此外,該芯片還具有較低的柵極電荷,有助于提高整體系統(tǒng)的效率。
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏電流:7A
最大脈沖漏電流:35A
最大功耗:40W
結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
導通電阻:0.28Ω
柵極電荷:16nC
輸入電容:520pF
總電容:1650pF
存儲溫度范圍:-55℃至150℃
1. 高擊穿電壓(200V),適合高壓應用環(huán)境。
2. 低導通電阻(0.28Ω),降低導通損耗,提升效率。
3. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗,適用于高頻電路。
4. 較低的柵極電荷,簡化驅(qū)動設計并降低驅(qū)動功耗。
5. 良好的熱穩(wěn)定性,支持長時間穩(wěn)定運行。
6. 封裝形式為TO-220,便于安裝與散熱設計。
7. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至150℃),適應多種惡劣環(huán)境。
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 直流/直流轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動和控制
4. 逆變器
5. LED驅(qū)動電路
6. 工業(yè)自動化設備
7. 電池充電管理系統(tǒng)
8. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合
IRFZ44N
STP7NK60Z
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