FQI5N60CTU是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)是具有低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,能夠�(mǎn)足多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(yīng)用需��
該器件的最大漏源極電壓�600V,適合高壓環(huán)境下的操�,同�(shí)具備快速開(kāi)�(guān)特性和良好的熱�(wěn)定�,確保在各種工作條件下的可靠性�
最大漏源極電壓�600V
最大連續(xù)漏電流:5.7A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8Ω
總功耗:94W
�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
封裝形式:TO-220
FQI5N60CTU的主要特性包括高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)速度。這些特點(diǎn)使其非常適合用于要求高效率和高可靠性的電路�。此�,該器件還具有較低的輸入電容和輸出電容,有助于減少開(kāi)�(guān)損��
它采用了先�(jìn)的制造工藝,確保了器件在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能。同�(shí),其出色的雪崩能力�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的耐用性,能夠在異常條件下保護(hù)電路免受損壞�
在實(shí)際應(yīng)用中,F(xiàn)QI5N60CTU憑借其�(yōu)秀的電氣性能和機(jī)械結(jié)�(gòu),成為許多設(shè)�(jì)工程師的理想選擇。無(wú)論是硬開(kāi)�(guān)還是軟開(kāi)�(guān)�(yīng)用,這款MOSFET都能提供卓越的表�(xiàn)�
FQI5N60CTU適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,例如開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電磁閥�(qū)�(dòng)、LED照明�(qū)�(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等�
在開(kāi)�(guān)電源�(lǐng)�,該器件可以用作主開(kāi)�(guān)管,幫助�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�。對(duì)于電�(jī)控制�(yīng)�,F(xiàn)QI5N60CTU可以用來(lái)�(gòu)建H橋或半橋電路,以精確地控制電�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
此外,在新能源領(lǐng)域,如光伏發(fā)電系�(tǒng)�,該MOSFET也可用作功率�(zhuǎn)換級(jí)的一部分,提高整�(gè)系統(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
FQA5N60C, IRF540N, STP55NF06L