FQI5N60CTU是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)特點(diǎn)是具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,能夠滿(mǎn)足多種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子應(yīng)用需求。
該器件的最大漏源極電壓為600V,適合高壓環(huán)境下的操作,同時(shí)具備快速開(kāi)關(guān)特性和良好的熱穩(wěn)定性,確保在各種工作條件下的可靠性。
最大漏源極電壓:600V
最大連續(xù)漏電流:5.7A
最大柵源電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(典型值):1.8Ω
總功耗:94W
結(jié)溫范圍:-55°C至+150°C
封裝形式:TO-220
FQI5N60CTU的主要特性包括高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)關(guān)速度。這些特點(diǎn)使其非常適合用于要求高效率和高可靠性的電路中。此外,該器件還具有較低的輸入電容和輸出電容,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
它采用了先進(jìn)的制造工藝,確保了器件在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。同時(shí),其出色的雪崩能力進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的耐用性,能夠在異常條件下保護(hù)電路免受損壞。
在實(shí)際應(yīng)用中,F(xiàn)QI5N60CTU憑借其優(yōu)秀的電氣性能和機(jī)械結(jié)構(gòu),成為許多設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。無(wú)論是硬開(kāi)關(guān)還是軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用,這款MOSFET都能提供卓越的表現(xiàn)。
FQI5N60CTU適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,例如開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電磁閥驅(qū)動(dòng)、LED照明驅(qū)動(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等。
在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域,該器件可以用作主開(kāi)關(guān)管,幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。對(duì)于電機(jī)控制應(yīng)用,F(xiàn)QI5N60CTU可以用來(lái)構(gòu)建H橋或半橋電路,以精確地控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。
此外,在新能源領(lǐng)域,如光伏發(fā)電系統(tǒng)中,該MOSFET也可用作功率轉(zhuǎn)換級(jí)的一部分,提高整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
FQA5N60C, IRF540N, STP55NF06L