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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQP10N60C

FQP10N60C 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:15:36 查看 閱讀�28

FQP10N60C是Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司生�(chǎn)的MOSFET器件,屬于P溝道增強型絕緣柵場效應晶體管。這種元器件廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及各種需要高效功率切換的場景��
  該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,適合于高壓應用場合。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱和安裝�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�-9.4A
  脈沖漏極電流�-53A
  柵極電荷�8.7nC
  導通電阻:0.075Ω
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

FQP10N60C是一款高性能的功率MOSFET,主要特點包括:
  1. 高擊穿電�,可承受高達60V的工作電�,適用于高壓電路�(shè)計�
  2. 低導通電�,典型值為0.075Ω,有助于減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,能夠有效降低開�(guān)損��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,可在較寬的溫度范圍�(nèi)正常工作�
  5. 封裝形式采用標準TO-220,易于安裝和維護,同時提供良好的散熱能力�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)需��

應用

該器件在多種電力電子應用中表�(xiàn)�(yōu)異,具體包括�
  1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
  2. 電機�(qū)動器中的功率控制模塊�
  3. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)�
  4. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
  FQP10N60C憑借其出色的電氣特性和可靠�,在這些�(lǐng)域內(nèi)成為工程師的理想選擇�

替代型號

IRF540N
  STP16NF55
  FDP12N50

fqp10n60c推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqp10n60c資料 更多>

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fqp10n60c參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫歐 @ 4.75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs57nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2040pF @ 25V
  • 功率 - 最�156W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件