FQP10N60C是Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司生�(chǎn)的MOSFET器件,屬于P溝道增強型絕緣柵場效應晶體管。這種元器件廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及各種需要高效功率切換的場景��
該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,適合于高壓應用場合。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱和安裝�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�-9.4A
脈沖漏極電流�-53A
柵極電荷�8.7nC
導通電阻:0.075Ω
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQP10N60C是一款高性能的功率MOSFET,主要特點包括:
1. 高擊穿電�,可承受高達60V的工作電�,適用于高壓電路�(shè)計�
2. 低導通電�,典型值為0.075Ω,有助于減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,能夠有效降低開�(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定�,可在較寬的溫度范圍�(nèi)正常工作�
5. 封裝形式采用標準TO-220,易于安裝和維護,同時提供良好的散熱能力�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)需��
該器件在多種電力電子應用中表�(xiàn)�(yōu)異,具體包括�
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. 電機�(qū)動器中的功率控制模塊�
3. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)�
4. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
FQP10N60C憑借其出色的電氣特性和可靠�,在這些�(lǐng)域內(nèi)成為工程師的理想選擇�
IRF540N
STP16NF55
FDP12N50