FQP20N06L是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Fairchild Semiconductor(現為ON Semiconductor)生�。該器件采用TO-252封裝,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適用于各種功率轉換和負載切換應用。其額定電壓�60V,連續(xù)漏極電流可達20A,廣泛用于消費電子、工�(yè)控制和通信設備等領��
FQP20N06L以其出色的性能和可靠性著�,特別適合需要高效率和低損耗的應用場景。同時,其緊湊的封裝形式也使其成為空間受限設計的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極閾值電壓:1.5V ~ 3.0V
總功耗:48W
工作結溫范圍�-55°C ~ +150°C
封裝形式:TO-252(DPAK�
1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,支持高頻操�,降低開關損��
3. 高雪崩能量能力,增強了器件的耐用性和魯棒��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
5. 緊湊的TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
6. 柵極電荷低,驅動簡單且高��
7. 具有良好的熱�(wěn)定性和電氣性能,適用于嚴苛的工作環(huán)��
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC轉換器中的功率開��
3. 電機驅動電路中的功率級開��
4. 負載切換和保護電��
5. 工業(yè)自動化中的繼電器替代方案�
6. 消費類電子產品中的電池管理電路�
7. LED驅動器和背光控制�
8. 通信設備中的功率分配和調節(jié)�
IRFZ44N
STP20NF06
FDP20N06L
AO3400