FQP6N90C 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生產的 N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝,具有高擊穿電壓和低導通電阻的特點,廣泛用于開關電源、電機驅動以及各類功率轉換應用中�
該型號的 FQP6N90C 屬于經典的功� MOSFET 系列,其耐壓能力高達 500V,使其能夠適應多種高壓應用場�。同�,其較低的導通電阻確保了在高電流工作條件下的高效表現(xiàn)�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�9.1A
柵極閾值電壓:4V
導通電阻(典型值)�1.3Ω
功耗:175W
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55� � +150�
FQP6N90C 的主要特性包括:
1. 高擊穿電� (500V),適合高壓環(huán)境下的應��
2. 低導通電� (典型值為 1.3Ω),降低傳導損耗并提高效率�
3. 快速開關速度,減少開關損��
4. 較小的輸入電�,簡化驅動設計�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
6. TO-220 封裝提供良好的散熱性能,便于安裝和使用�
FQP6N90C 在設計上�(yōu)化了高壓和大電流場景中的表現(xiàn),同時兼顧成本與性能,是許多工業(yè)及消費類電子產品的理想選��
FQP6N90C 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
2. 電機控制和驅動電��
3. 電磁閥和繼電器驅動�
4. 電池充電器和其他功率管理模塊�
5. 逆變器和太陽能微逆變��
6. 各類需要高壓開關的工業(yè)設備�
由于其出色的性能和可靠�,F(xiàn)QP6N90C 成為許多工程師在設計高壓功率系統(tǒng)時的首選器件�
FQP6P90C, IRF650N, STP50NF06