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FQP6N90C 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 18:26:47 查看 閱讀�23

FQP6N90C 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生產的 N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝,具有高擊穿電壓和低導通電阻的特點,廣泛用于開關電源、電機驅動以及各類功率轉換應用中�
  該型號的 FQP6N90C 屬于經典的功� MOSFET 系列,其耐壓能力高達 500V,使其能夠適應多種高壓應用場�。同�,其較低的導通電阻確保了在高電流工作條件下的高效表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�9.1A
  柵極閾值電壓:4V
  導通電阻(典型值)�1.3Ω
  功耗:175W
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FQP6N90C 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電� (500V),適合高壓環(huán)境下的應��
  2. 低導通電� (典型值為 1.3Ω),降低傳導損耗并提高效率�
  3. 快速開關速度,減少開關損��
  4. 較小的輸入電�,簡化驅動設計�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
  6. TO-220 封裝提供良好的散熱性能,便于安裝和使用�
  FQP6N90C 在設計上�(yōu)化了高壓和大電流場景中的表現(xiàn),同時兼顧成本與性能,是許多工業(yè)及消費類電子產品的理想選��

應用

FQP6N90C 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
  2. 電機控制和驅動電��
  3. 電磁閥和繼電器驅動�
  4. 電池充電器和其他功率管理模塊�
  5. 逆變器和太陽能微逆變��
  6. 各類需要高壓開關的工業(yè)設備�
  由于其出色的性能和可靠�,F(xiàn)QP6N90C 成為許多工程師在設計高壓功率系統(tǒng)時的首選器件�

替代型號

FQP6P90C, IRF650N, STP50NF06

fqp6n90c推薦供應� 更多>

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fqp6n90c參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.3 歐姆 @ 3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
  • 功率 - 最�167W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220
  • 包裝管件