FQP70N10是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用中。FQP70N10以其低導(dǎo)通電阻和高電流能力著�(chēng),能夠滿(mǎn)足多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備的需求�
該MOSFET采用了TO-220封裝形式,具有良好的散熱性能,適合于大功率應(yīng)用環(huán)�。其主要特點(diǎn)是高效率和可靠性,同時(shí)具備快速開(kāi)�(guān)速度和較低的功��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�70A
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):3mΩ
總功耗:168W
工作溫度范圍�-55℃~150�
封裝形式:TO-220
FQP70N10的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá)70A,使其適用于大功率應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�(shí),導(dǎo)通電阻僅�3mΩ,降低了�(dǎo)通損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較短的�(kāi)啟和�(guān)閉時(shí)�,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
4. �(wěn)定的工作溫度范圍:能夠在-55℃至150℃的溫度范圍�(nèi)正常工作,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
5. 良好的熱性能:采用TO-220封裝,具備較大的散熱面積,便于熱量散�(fā)�
6. 高耐壓能力:最大漏源電壓為100V,確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
FQP70N10適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
- 在A(yíng)C-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中用作主�(kāi)�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 用于控制直流電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
3. 電池管理系統(tǒng)�
- �(shí)�(xiàn)電池充放電的精確控制�
4. 逆變器:
- 提供高效的功率轉(zhuǎn)換功能�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:
- 如可編程邏輯控制器(PLC)中的功率輸出模��
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:
- 包括電視、音響等�(shè)備中的功率管理電��
IRFZ44N, STP70NF10L