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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQPF12N60C

FQPF12N60C 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:57:55 查看 閱讀�39

FQPF12N60C是一種基于硅(Si)技�(shù)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司旗下的功率MOSFET�(chǎn)品系�。該器件采用N溝道增強型設(shè)計,適用于高頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其高擊穿電壓(600V�、低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特�,使其成為工�(yè)、汽車以及消費類電子�(lǐng)域中的理想選��
  該器件通常用于電源管理電路、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�13.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):250mΩ(典型�,當(dāng)Vgs=10V時)
  柵極電荷�47nC(典型值)
  輸入電容�1980pF(典型值)
  功耗:435W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQPF12N60C具有以下顯著特性:
  1. 高電壓耐受能力,支持高�600V的工作電壓,適合高壓�(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻,在大電流條件下可以有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用需求,減少開關(guān)損��
  4. �(yōu)化的熱性能,能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定運��
  5. 提供多種封裝選項以滿足不同的安裝需求,例如TO-247或DPAK等封裝形式�
  6. 符合RoHS�(biāo)�,環(huán)保無鉛設(shè)計�
  這些特性使得該器件在要求高效能、高可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)卓越�

�(yīng)�

FQPF12N60C廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):
   - AC-DC�(zhuǎn)換器
   - DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 電機控制�
   - 無刷直流電機�(qū)�
   - 步進電機驅(qū)�
  3. 工業(yè)�(shè)備:
   - 逆變�
   - 焊接�(shè)�
  4. 汽車電子�
   - 車載充電�
   - �(fā)電機�(diào)節(jié)�
  此外,該器件還常用于各種需要高效功率切換的�(yīng)用場景�

替代型號

IRFP460,
  FQP17N60,
  STP17NF60,
  IXFN60N15T2

fqpf12n60c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqpf12n60c資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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fqpf12n60c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)準包�50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)準型
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C650 毫歐 @ 6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2290pF @ 25V
  • 功率 - 最�51W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220F
  • 包裝管件