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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FQPF2N60

FQPF2N60 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 11:38:58 查看 閱讀�22

FQPF2N60是一款N溝道功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等場景。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特點,能夠有效提高系統(tǒng)的效率和可靠�。FQPF2N60屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司的產品系列,其封裝形式為TO-220,適用于各種高功率密度應��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  導通電阻:3.5Ω
  柵極電荷�18nC
  總電容:490pF
  功耗:75W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓應用場��
  2. 低導通電阻(3.5Ω�,減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能,有助于降低開關損耗�
  4. 封裝形式為TO-220,便于散熱設��
  5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,適應惡劣�(huán)境條��
  6. 提供�(yōu)異的雪崩能力,增強器件的耐用��

應用

FQPF2N60主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的高頻開關元件�
  2. DC-DC轉換器的核心功率開關�
  3. 各類電機驅動電路中的功率控制�
  4. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的功率級組��
  5. 電磁閥和其他負載的開關控��
  6. 其他需要高耐壓和高效能的應用場��

替代型號

IRF640N
  STP12NM60
  FDP18N60

fqpf2n60推薦供應� 更多>

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  • 封裝/批號
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fqpf2n60資料 更多>

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fqpf2n60參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.7 歐姆 @ 800mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最�28W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應商設備封�TO-220F
  • 包裝管件