FQPF2N60是一款N溝道功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等場景。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特點,能夠有效提高系統(tǒng)的效率和可靠�。FQPF2N60屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司的產品系列,其封裝形式為TO-220,適用于各種高功率密度應��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�1.8A
導通電阻:3.5Ω
柵極電荷�18nC
總電容:490pF
功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓應用場��
2. 低導通電阻(3.5Ω�,減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能,有助于降低開關損耗�
4. 封裝形式為TO-220,便于散熱設��
5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,適應惡劣�(huán)境條��
6. 提供�(yōu)異的雪崩能力,增強器件的耐用��
FQPF2N60主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的高頻開關元件�
2. DC-DC轉換器的核心功率開關�
3. 各類電機驅動電路中的功率控制�
4. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的功率級組��
5. 電磁閥和其他負載的開關控��
6. 其他需要高耐壓和高效能的應用場��
IRF640N
STP12NM60
FDP18N60