FQU13N10是一款N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及負載開關等應用中。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低功��
這款MOSFET的最大漏源電壓為100V,適合中低壓應用場景。其小型封裝設計有助于節(jié)省PCB空間,同時具備良好的散熱能力以支持高電流操作�
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�13A
導通電�(Rds(on))�85mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�46W
結溫范圍(Tj)�-55°C�+150°C
封裝類型:TO-252(DPAK)
FQU13N10的主要特點包括:
1. 低導通電�,能夠減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,適用于高頻開關應用�
3. 高雪崩能量能力,增強了器件的魯棒��
4. 小型表面貼裝封裝,簡化了安裝過程并節(jié)省了板級空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適應嚴苛的工作�(huán)��
該功率MOSFET適用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元件�
2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
3. 電機驅動電路中的功率級開��
4. 各類DC-DC轉換器的開關元件�
5. 負載開關和保護電路中的隔離或短路保護功能�
6. 工業(yè)自動化設備中的信號調節(jié)與功率傳輸�
IRFZ44N
STP13NF06
FDP13N10