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FQU1N50 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:22:38 查看 閱讀�26

FQU1N50是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它廣泛應用于開關電�、電機驅(qū)動、逆變器等功率電子電路�。該器件以其高擊穿電�、低導通電阻和快速開關速度而著�,能夠滿足各種高效能應用的需求�
  FQU1N50采用了先進的制造工�,確保了其在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠�。同時,它的封裝形式通常為TO-220,適合散熱需求較高的場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:1.1A
  導通電阻:3.8Ω
  功耗:75W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQU1N50具備以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:高達500V的漏源電壓使其適用于高壓應用場景�
  2. 低導通電阻:僅為3.8Ω,在大電流條件下可減少功率損耗�
  3. 快速開關能力:短的開啟和關斷時間有助于降低開關損��
  4. �(wěn)定性:即使在極端溫度條件下,也能保持性能的穩(wěn)定性�
  5. 封裝形式:采用TO-220標準封裝,便于安裝和散熱設計�

應用

FQU1N50適用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路�
  3. 電機�(qū)動和控制電路�
  4. 各種工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相關產(chǎn)��

替代型號

IRF540N
  STP16NF50
  IXTH16N50P

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