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FQU1N60CTU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:25:52 查看 閱讀�26

FQU1N60CTU 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有高電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
  � MOSFET 的最大漏源極電壓� 600V,使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備較高的電流承載能力�

參數(shù)

最大漏源極電壓�600V
  最大漏極電流:5.8A
  柵極閾值電壓:4V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.6Ω
  總功耗:17W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

FQU1N60CTU 具有以下主要特性:
  1. 高電壓耐受能力,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電�,在大電流情況下能有效減少功率損耗�
  3. 快速開�(guān)性能,支持高頻電路設(shè)�(jì)�
  4. 較小的輸入和輸出電容,有助于降低開關(guān)損��
  5. �(wěn)定性好,能夠在惡劣的工作條件下保持正常�(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�

�(yīng)�

FQU1N60CTU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  4. PFC(功率因�(shù)校正)電路中的功率開�(guān)�
  5. 各種工業(yè)控制和家電產(chǎn)品中的高壓切��
  6. 繼電器和電磁閥驅(qū)�(dòng)電路�
  其高壓特性和�(wěn)定性使其成為眾多高壓電子系�(tǒng)中的理想選擇�

替代型號(hào)

FDP15N60E, IRF8215, STP10NK60Z

fqu1n60ctu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqu1n60ctu資料 更多>

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fqu1n60ctu參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝70
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds170pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱FQU1N60CTU-NDFQU1N60CTUFS