FQU1N60CTU 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有高電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
� MOSFET 的最大漏源極電壓� 600V,使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備較高的電流承載能力�
最大漏源極電壓�600V
最大漏極電流:5.8A
柵極閾值電壓:4V
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.6Ω
總功耗:17W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
FQU1N60CTU 具有以下主要特性:
1. 高電壓耐受能力,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電�,在大電流情況下能有效減少功率損耗�
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻電路設(shè)�(jì)�
4. 較小的輸入和輸出電容,有助于降低開關(guān)損��
5. �(wěn)定性好,能夠在惡劣的工作條件下保持正常�(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
FQU1N60CTU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
4. PFC(功率因�(shù)校正)電路中的功率開�(guān)�
5. 各種工業(yè)控制和家電產(chǎn)品中的高壓切��
6. 繼電器和電磁閥驅(qū)�(dòng)電路�
其高壓特性和�(wěn)定性使其成為眾多高壓電子系�(tǒng)中的理想選擇�
FDP15N60E, IRF8215, STP10NK60Z