FQU2N100 是一� N 沱道硅功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的場景。該器件采用 TO-252 封裝,具有較高的電壓耐受能力以及較低的導(dǎo)通電�,適用于多種工業(yè)及消費電子領(lǐng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻:3.6Ω
柵極閾值電壓:2V~4V
總功耗:1.1W
工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�
FQU2N100 的主要特性包括:
1. 高電壓承受能�,能夠支持高� 100V 的漏源電壓�
2. 較低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)性能,可有效降低開關(guān)損耗�
4. 小型化封裝設(shè)�,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
5. 寬溫度范圍支�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子制造需��
FQU2N100 常用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源中的高頻開關(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓控��
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
6. 工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制�
FQPF2N100, IRFZ44N, STP20NF10