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FQU2N60C 發(fā)布時間 時間�2025/6/11 19:59:27 查看 閱讀�9

FQU2N60C 是一� N 灃道� (Fairchild Semiconductor,現(xiàn)� ON Semiconductor) 生產(chǎn)的高壓功� MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等應用場��
  這款 MOSFET 的設(shè)計特點是低導通電阻和快速開�(guān)性能,能夠有效降低傳導損耗和開關(guān)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  導通電阻(典型值)�1.3Ω
  柵極閾值電壓:4V
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

FQU2N60C 具有高雪崩能力,能夠在過載條件下提供額外保護。同時其�(yōu)化的 RDS(on) 值確保了高效的功率轉(zhuǎn)換�
  它還具備低輸入電容和輸出電容,這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失�
  此外,該器件具有良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  FQU2N60C 的封裝采用了標準� TO-252,便于表面貼裝和散熱�(shè)�,適合各種工�(yè)及消費類電子�(shè)��

應用

FQU2N60C 廣泛應用于開�(guān)模式電源(SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池充電器、LED �(qū)動電路以及家用電器中的電機控制等�(lǐng)��
  由于其出色的耐壓能力和效率表�(xiàn),也常用于需要高可靠性的工業(yè)控制系統(tǒng)��

替代型號

FDP18N60C, IRF650N

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