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FQU5N15 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 12:19:23 查看 閱讀�22

FQU5N15是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率控制應(yīng)�。該器件采用了先進的制造工藝,能夠在高頻率和高效率的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。其小封裝設(shè)計使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�5.6A
  柵極電荷�24nC
  �(dǎo)通電阻:0.35Ω
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

FQU5N15具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗并提升效率�
  該器件支持快速開�(guān),適合高頻應(yīng)用場合�
  其具備較高的雪崩擊穿能量能力,增強了在異常情況下的可靠性�
  FQU5N15采用無鉛封裝,符合環(huán)保要�,并且具備良好的熱性能以適�(yīng)高溫操作�(huán)��
  此外,它還具有低輸入電容和低輸出電容,進一步優(yōu)化了開關(guān)性能�

�(yīng)�

FQU5N15廣泛�(yīng)用于直流電機�(qū)動、開�(guān)電源、逆變器、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、電池保護電路以及各類工�(yè)電子�(shè)備中�
  由于其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,它也常用于汽車電子�(lǐng)域中的負(fù)載切換和保護電路�
  在消費類電子�(chǎn)品中,這款MOSFET可用于充電器、適配器等產(chǎn)�,以提供高效的功率轉(zhuǎn)��

替代型號

IRF540N
  STP55NF06
  FDP55N10

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