FQU5N50C是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件具有高擊穿電壓和低導通電阻的特點,適用于各種開關(guān)和功率管理應�。其封裝形式為TO-220,適合于需要良好散熱性能的場��
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�4.3A
柵極-源極電壓:�20V
導通電阻:3.6Ω
總功耗:115W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
FQU5N50C的主要特點是高電壓耐受能力,能夠承受高�500V的漏源電�,這使得它非常適合用于高壓�(huán)境下的開�(guān)應用。此�,該器件具有較低的導通電�,從而減少了功率損耗并提高了效�。它的快速開�(guān)特性和低輸入電容使其在高頻應用中表�(xiàn)出色�
該器件還具有熱穩(wěn)定性強的特�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能。其TO-220封裝�(shè)計提供了良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體可靠��
FQU5N50C廣泛應用于開�(guān)電源、直流電機驅(qū)�、逆變�、電磁閥�(qū)動等�(lǐng)域。在開關(guān)電源�,它可以用作主開�(guān)�,實�(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)�。在電機�(qū)動應用中,該器件可以控制電機的啟�、停止和速度�(diào)節(jié)。此�,它也常用于工業(yè)控制和家用電器中的功率管理電��
FQA5N50C, FQR5N50C, IRF540