時間：2025/5/28 11:42:33
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FS18X225K100PBG是一款高性能的場效應晶體管（FET），廣泛應用于開關和功率控制電路。該器件采用先進的制造工藝，具有高擊穿電壓、低導通電阻和快速開關速度的特點，適合用于需要高效能和可靠性的工業(yè)及消費類電子應用。
這款芯片屬于N溝道增強型MOSFET，其封裝形式為PBG（Power Block Package），能夠有效提升散熱性能并優(yōu)化空間利用率。它在各類電源管理、電機驅(qū)動以及負載切換等場景中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓：18V
連續(xù)漏極電流：225A
導通電阻（典型值）：1.0mΩ
柵極電荷：35nC
總功耗：150W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
FS18X225K100PBG的主要特性包括：
1. 高電流承載能力，支持高達225A的連續(xù)漏極電流，適用于大功率應用。
2. 極低的導通電阻（1.0mΩ），有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關速度，柵極電荷僅為35nC，降低動態(tài)損耗。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。
5. 強大的抗浪涌能力和魯棒性，確保在復雜電磁環(huán)境中的可靠性。
6. 緊湊的PBG封裝設計，便于安裝且具備良好的散熱性能。
該芯片主要應用于以下領域：
1. 工業(yè)設備中的電機驅(qū)動與控制。
2. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關電源的設計。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
4. 大功率LED驅(qū)動器以實現(xiàn)精確亮度調(diào)節(jié)。
5. 各類家電產(chǎn)品中的功率管理和節(jié)能方案。
6. 充電器和適配器中作為關鍵功率器件。
FS18X200K120PBG
IRF2807
STP220N10F7
