FS32X106K250EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠在高頻率工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)�。此�,其封裝形式支持良好的散熱性能,適用于�(duì)效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,通過(guò)柵極電壓控制漏極和源極之間的�(dǎo)通狀�(tài),從而實(shí)�(xiàn)�(duì)�(fù)載電流的�(kāi)�(guān)或調(diào)節(jié)功能�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�1800pF
�(kāi)�(guān)速度:超快恢�(fù)
功耗:2.5W(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性�
4. �(nèi)置反向二極管,優(yōu)化了�(xù)流路�,特別適合于同步整流和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
5. 封裝具備�(yōu)良的熱傳�(dǎo)性能,有助于提升�(zhǎng)期工作的�(wěn)定性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
5. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)�(chē)充電模塊中的高效能量�(zhuǎn)換組��
6. 高頻變壓器和脈寬�(diào)制(PWM)控制器配套使用�
IRF3205
FDP16N10
STP170N10F3