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FS43X226M250EGG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:43:41 查看 閱讀�18

FS43X226M250EGG是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高性能N溝道MOSFET芯片。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用場��
  該器件封裝形式為TO-252 (DPAK),具備出色的散熱性能和可靠�。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�19A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
  柵極電荷(典型值)�7.8nC
  總電容(輸入電容):1080pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

FS43X226M250EGG采用了先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下顯著減少功率損��
  2. 高效的邏輯電平驅(qū)�(dòng)能力,使其能夠與3.3V�5V的控制信號兼��
  3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗并提升了整體效��
  4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和魯棒�,適合長�(shí)間運(yùn)行在高溫�(huán)境下�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要��
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性和抗干擾能��
  這些特性使得該MOSFET在多種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是那些對能效和�(wěn)定性有較高需求的場合�

�(yīng)�

FS43X226M250EGG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管或主開關(guān)��
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、平板電腦充電器等�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  6. 通信電源、汽車電子及LED照明等領(lǐng)��
  由于其高效的性能和寬泛的工作溫度范圍,這款MOSFET可以勝任從消�(fèi)級到工業(yè)級的各種�(yīng)用場��

替代型號

FDMS4322, IRFZ44N, STP19NM60E

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