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FS56X475K101EGG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 23:31:52 查看 閱讀：10

FS56X475K101EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片，專為高效率、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能，適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
　　FS56X475K101EGG采用了增強(qiáng)型封裝技術(shù)，能夠提供出色的散熱性能和電氣特性，同時(shí)支持高電流操作和快速開(kāi)關(guān)速度。其主要目標(biāo)市場(chǎng)包括消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子領(lǐng)域。

參數(shù)

導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ@Vgs=10V
　　擊穿電壓（V(BR)DSS）：75V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：120A
　　柵極電荷（Qg）：80nC
　　輸入電容（Ciss）：3000pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：45ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

1. 超低導(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度和低柵極電荷，降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì)，提升散熱能力。
　　4. 高雪崩能量承受能力，提高系統(tǒng)可靠性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛。
　　6. 可靠性經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
　　7. 封裝形式支持表面貼裝技術(shù)（SMD），便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　4. 工業(yè)逆變器
　　5. 汽車電子中的負(fù)載切換
　　6. 充電器和適配器
　　7. LED驅(qū)動(dòng)電路
　　8. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)開(kāi)關(guān)

替代型號(hào)

IRF540N
　　STP75NF06
　　FDP5600
　　AO3400

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