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FSB50250US 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 15:44:17 查看 閱讀�28

FSB50250US 是一款基于硅技�(shù)制造的 N 沯道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)�。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有出色的熱性能和電氣性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等多種工�(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)域�
  FSB50250US 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高電流處理能力和低�(dǎo)通損�,同�(shí)保持良好的開�(guān)特�,使其在 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)以及各類高效能功率轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)�(yōu)異�

參數(shù)

型號(hào):FSB50250US
  封裝:TO-263
  Vds(漏源電壓)�50V
  Rds(on)(�(dǎo)通電�)�2.5mΩ @ Vgs=10V
  Id(連續(xù)漏極電流)�250A
  功耗:48W
  工作溫度范圍�-55� to 175�
  柵極電荷(Qg)�35nC
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�25ns

特�

FSB50250US 提供了極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損�。其高電流承載能� (Id) 和快速開�(guān)特� (� Qg � trr),使得此器件非常適合高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  此外,F(xiàn)SB50250US 還具備優(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下可靠�(yùn)行。由于采用了先�(jìn)的硅工藝,這款 MOSFET 在動(dòng)�(tài)操作期間表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗,并且具有較強(qiáng)的抗雪崩能力,從而增�(qiáng)了系�(tǒng)的整體可靠��
  � TO-263 封裝不僅提供了良好的散熱性能,還易于集成到印刷電路板�,簡化了 PCB �(shè)�(jì)流程�

�(yīng)�

FSB50250US 主要�(yīng)用于需要高效功率管理的場合,例如:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池充電和管理系�(tǒng)
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
  - 大功� LED �(qū)�(dòng)
  憑借其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 特別適合用于要求高性能和高效率的應(yīng)用環(huán)境�

替代型號(hào)

FSB50250UH, FSB50250UL

fsb50250us推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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fsb50250us參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝450
  • 類別半導(dǎo)體模�
  • 家庭功率�(qū)�(dòng)�
  • 系列SPM®
  • 類型FET
  • 配置3 �
  • 電流1.1A
  • 電壓500V
  • 電壓 - 隔離1500Vrms
  • 封裝/外殼SPM23BD
  • 其它名稱FSB50250USTR