FSDM0265RNB 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的超�(jié) MOSFET。該器件專為高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
這款 MOSFET 采用 TO-247 封裝形式,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�。其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使得�(kāi)�(guān)損耗顯著降�,從而提升了系統(tǒng)的整體效��
型號(hào):FSDM0265RNB
封裝:TO-247
VDS(漏源擊穿電壓)�650 V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�180 mΩ(典型值,@VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):20 A
Qg(總柵極電荷):42 nC
EAS(雪崩能量)�1.3 J
fT(特征頻率)�2.1 MHz
VGS(th)(柵源開(kāi)啟電壓)�3 V~4 V
工作溫度范圍�-55℃~175�
FSDM0265RNB 具備以下主要特性:
1. 高電壓耐受能力�650V�,使其適用于多種高壓工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(180mΩ 典型值),減少了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度得益于優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),降低了�(kāi)�(guān)損耗�
4. �(qiáng)大的雪崩能力和魯棒�,確保在惡劣條件下的可靠�(yùn)行�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種�(huán)境需求�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要求�
FSDM0265RNB 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在高效率和高功率密度�(shè)�(jì)��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如變頻器和伺服系�(tǒng)�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. PFC(功率因�(shù)校正)電�,以提升能源利用��
6. 各種需要高�、高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用領(lǐng)��
FST06N65L,
FDP15N65,
FDMT6600Z