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FSDM0265RNB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 9:58:30 查看 閱讀�20

FSDM0265RNB 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的超�(jié) MOSFET。該器件專為高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  這款 MOSFET 采用 TO-247 封裝形式,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�。其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使得�(kāi)�(guān)損耗顯著降�,從而提升了系統(tǒng)的整體效��

參數(shù)

型號(hào):FSDM0265RNB
  封裝:TO-247
  VDS(漏源擊穿電壓)�650 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�180 mΩ(典型值,@VGS=10V�
  ID(連續(xù)漏極電流):20 A
  Qg(總柵極電荷):42 nC
  EAS(雪崩能量)�1.3 J
  fT(特征頻率)�2.1 MHz
  VGS(th)(柵源開(kāi)啟電壓)�3 V~4 V
  工作溫度范圍�-55℃~175�

特�

FSDM0265RNB 具備以下主要特性:
  1. 高電壓耐受能力�650V�,使其適用于多種高壓工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(180mΩ 典型值),減少了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度得益于優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),降低了�(kāi)�(guān)損耗�
  4. �(qiáng)大的雪崩能力和魯棒�,確保在惡劣條件下的可靠�(yùn)行�
  5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種�(huán)境需求�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要求�

�(yīng)�

FSDM0265RNB 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在高效率和高功率密度�(shè)�(jì)��
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如變頻器和伺服系�(tǒng)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電�,以提升能源利用��
  6. 各種需要高�、高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用領(lǐng)��

替代型號(hào)

FST06N65L,
  FDP15N65,
  FDMT6600Z

fsdm0265rnb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fsdm0265rnb資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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fsdm0265rnb參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - AC-DC �(zhuǎn)換器,離線開(kāi)�(guān)
  • 系列-
  • 輸出隔離隔離
  • 頻率范圍61 ~ 73kHz
  • 輸入電壓8 V ~ 20 V
  • 輸出電壓650V
  • 功率(瓦特)27W
  • 工作溫度25°C ~ 140°C
  • 封裝/外殼8-DIP�0.300"�7.62mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-DIP
  • 包裝-
  • 其它名稱FSDM0265RNB_NLFSDM0265RNB_NL-ND