FST16233MTD是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于高頻開關和功率轉(zhuǎn)換場景。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點,適用于各種需要高效功率管理的電子設備�
這款MOSFET在設計上�(yōu)化了柵極電荷和導通電阻的平衡,使其能夠在高頻應用中提供卓越的性能表現(xiàn)。同�,其小型化封裝形式有助于節(jié)省電路板空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的需求�
型號:FST16233MTD
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�23A
導通電�(Rds(on))�4mΩ
柵極電荷(Qg)�27nC
總電�(Ciss)�1050pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-263
1. 極低的導通電阻Rds(on),可有效降低功率損��
2. 高速開關性能,適合高頻應用�
3. 小型化封裝設�,節(jié)省PCB布局空間�
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
5. 柵極�(qū)動要求較低,易于與驅(qū)動電路配合使用�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
FST16233MTD廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換模��
2. 電機�(qū)動和控制電路�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和切換功��
4. LED�(qū)動器中的電流�(diào)節(jié)�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率開關�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制�
7. 其他需要高性能功率開關的應用場��
FST16N20L
FDP16N20
IRF1620