FSU01N60A 是一� N 灃道通態(tài)硅功� MOSFET,適用于高電壓開�(guān)應用。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、電機控制和逆變器等應用�(lǐng)��
這款 MOSFET 的額定耐壓� 600V,能夠承受較高的漏源電壓,同時其極低的導通電阻有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�1.04A
導通電阻(典型值)�5.8Ω
柵極電荷(典型值)�7nC
反向恢復時間�39ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
1. 高耐壓能力,適合高壓環(huán)境下的開�(guān)應用�
2. 極低的導通電阻,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)特性,可有效減少開�(guān)損��
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下長時間運��
5. 小封裝尺�,便于在空間受限的應用中使用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 逆變�
5. PFC(功率因�(shù)校正)電�
6. 各種工業(yè)和消費類電子�(shè)備中的高壓開�(guān)應用
FQU11N60,
STP1NR60,
IRF640