FU120N是一種基于硅材料制造的高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高電壓、快速開�(guān)特性的場景。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能之間的平�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏電流:1.8A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.4Ω
總功耗:15W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
FU120N具有較高的耐壓能力,適合在高電壓環(huán)境下工作。它的低�(dǎo)通電阻可以有效減少傳�(dǎo)損�,提高效�。此外,它還具備快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場景。該器件采用了DPAK封裝形式,提供良好的散熱性能,并且易于集成到各種電路�(shè)�(jì)��
具體特性包括:
1. 高擊穿電壓,確保在極端條件下的可靠��
2. 低導(dǎo)通電阻,降低功率損��
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻工作�
4. �(wěn)定的熱性能,適用于長時(shí)間運(yùn)行的�(shè)備�
5. 小型化封�,節(jié)省電路板空間�
FU120N廣泛用于各類電力電子�(shè)備中,例如開�(guān)電源(SMPS)、光伏逆變�、不間斷電源(UPS)、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)以及電動(dòng)汽車中的輔助系統(tǒng)�。它特別適合需要高電壓輸入或輸出的場合,如DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器以及電池管理系�(tǒng)(BMS�。此外,由于其出色的開關(guān)性能,F(xiàn)U120N也常被用作負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路中的�(guān)鍵元��
FQA18P120A, IRFP460, STP12NM60