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FV21N120J102ECG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/4 19:55:06 查看 閱讀：10

FV21N120J102ECG 是一款由 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）生產(chǎn)的 N 灃道高壓功率 MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等高電壓應(yīng)用中。其設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高雪崩能力和快速開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
　　這款 MOSFET 的額定耐壓為 1200V，能夠承受較高的漏源電壓，并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：1200V
　　連續(xù)漏極電流：15A
　　導(dǎo)通電阻：1.8Ω
　　柵極電荷：65nC
　　總電容：35pF
　　功耗：350W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-247

特性

FV21N120J102ECG 具有以下顯著特性：
　　1. 高耐壓能力：額定電壓為 1200V，適用于高電壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 1.8Ω，在大電流應(yīng)用中可有效減少功率損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：具有較低的柵極電荷和輸出電容，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 高雪崩能量能力：增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
　　5. 熱穩(wěn)定性好：能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。
　　6. 寬工作溫度范圍：支持從 -55℃ 到 +150℃ 的溫度區(qū)間，適應(yīng)各種惡劣工況。

應(yīng)用

FV21N120J102ECG 廣泛用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)：作為主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或其他類型的電機(jī)。
　　3. 逆變器：在光伏逆變器和 UPS 中充當(dāng)功率開(kāi)關(guān)。
　　5. 工業(yè)設(shè)備：如焊接機(jī)、感應(yīng)加熱器等需要高電壓功率管理的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

FV21N120K, FZ18N120B

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