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FV31N221J102EEG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 20:01:09 查看 閱讀�16

FV31N221J102EEG 是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� TO-247 封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。它具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�(diǎn),適合在工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域中使用�
  這款芯片的核心優(yōu)�(shì)在于其優(yōu)化的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下提供高效的功率�(zhuǎn)換能��

參數(shù)

型號(hào):FV31N221J102EEG
  封裝:TO-247
  最大漏源電� VDS�1200V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�31A
  脈沖漏極電流 IDM�186A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�0.15Ω
  柵極電荷 Qg�97nC
  反向恢復(fù)�(shí)� trr�65ns
  工作溫度范圍 Tj�-55� � +175�

特�

FV31N221J102EEG 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高�(dá) 1200V,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻:RDS(on)僅為 0.15Ω,在大電流工作時(shí)可降低功耗�
  3. 快速開�(guān)性能:極低的反向恢復(fù)�(shí)間和較小的柵極電荷使得器件能夠以較高的頻率運(yùn)��
  4. �(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)過嚴(yán)格的工藝控制和可靠性測(cè)�,確保在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定工��
  5. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流� 31A,滿足高功率需求的�(yīng)用場(chǎng)��
  6. 寬溫范圍支持:工作結(jié)溫范圍從 -55� � +175�,適�(yīng)各種極端溫度條件�

�(yīng)�

FV31N221J102EEG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效能量�(zhuǎn)換和�(wěn)定的電壓輸出�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)不同電壓等級(jí)之間的快速轉(zhuǎn)��
  3. 工業(yè)逆變器:作為核心功率器件,用于電�(jī)�(qū)�(dòng)和能源管理�
  4. 新能源系�(tǒng):例如太陽能逆變�、風(fēng)能發(fā)電設(shè)備等,提供高可靠性的功率處理能力�
  5. 不間斷電源(UPS):保障�(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電�
  6. 電動(dòng)汽車(EV)相�(guān)�(shè)備:如車載充電器、充電樁��

替代型號(hào)

FV31N120E4, IRGB14D120CPBF, FDP16N120B

fv31n221j102eeg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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