FV31N821J102EEG 是一款高性能� N 溝道 MOSFET,專為需要高效率和低損耗的應用設計。該器件采用了先進的制造工�,能夠在高頻開關(guān)應用中提供卓越的性能�
其主要特點是低導通電阻(Rds(on)�,這使其非常適合用作功率開�(guān)或負載開�(guān),同時能夠顯著降低功耗和提升系統(tǒng)效率�
型號:FV31N821J102EEG
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vdss)�80 V
最大柵源電�(Vgs):�20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�31 A
最大脈沖漏極電�(Ip)�93 A
導通電�(Rds(on))�4.5 mΩ (典型值,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)�48 nC (最大�)
總功�(Ptot)�175 W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on))以減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,適合大功率應用�
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻工作場景�
4. 高可靠性設�,可承受極端溫度條件�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封��
6. 良好的熱性能,有助于延長器件壽命�
7. 緊湊� D2PAK 封裝,便� PCB 布局設計�
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主功率開�(guān)�
2. 電機�(qū)動器中的功率級開�(guān)�
3. 太陽能逆變器和其他新能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)設備中的負載開關(guān)�
5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
6. LED �(qū)動器和其他高效照明解決方��
7. 通信基礎(chǔ)設施中的 DC-DC �(zhuǎn)換器�
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06