FV31N821J102EEG 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,專為需要高效率和低損耗的應用設計。該器件采用了先進的制造工藝,能夠在高頻開關(guān)應用中提供卓越的性能。
其主要特點是低導通電阻(Rds(on)),這使其非常適合用作功率開關(guān)或負載開關(guān),同時能夠顯著降低功耗和提升系統(tǒng)效率。
型號:FV31N821J102EEG
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電壓(Vdss):80 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id):31 A
最大脈沖漏極電流(Ip):93 A
導通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ (典型值,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg):48 nC (最大值)
總功耗(Ptot):175 W
工作溫度范圍(Ta):-55°C 至 +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on))以減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力,適合大功率應用。
3. 快速開關(guān)速度,支持高頻工作場景。
4. 高可靠性設計,可承受極端溫度條件。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封裝。
6. 良好的熱性能,有助于延長器件壽命。
7. 緊湊的 D2PAK 封裝,便于 PCB 布局設計。
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動器中的功率級開關(guān)。
3. 太陽能逆變器和其他新能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 工業(yè)設備中的負載開關(guān)。
5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng)。
6. LED 驅(qū)動器和其他高效照明解決方案。
7. 通信基礎(chǔ)設施中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06