時間：2025/6/3 23:33:27
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FV31N821J102EEG 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET，專為需要高效率和低損耗的應用設計。該器件采用了先進的制造工藝，能夠在高頻開關(guān)應用中提供卓越的性能。
其主要特點是低導通電阻（Rds(on)），這使其非常適合用作功率開關(guān)或負載開關(guān)，同時能夠顯著降低功耗和提升系統(tǒng)效率。
型號：FV31N821J102EEG
類型：N溝道 MOSFET
封裝：TO-263 (D2PAK)
最大漏源電壓(Vdss)：80 V
最大柵源電壓(Vgs)：±20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：31 A
最大脈沖漏極電流(Ip)：93 A
導通電阻(Rds(on))：4.5 mΩ (典型值，Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)：48 nC (最大值)
總功耗(Ptot)：175 W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)）以減少傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力，適合大功率應用。
3. 快速開關(guān)速度，支持高頻工作場景。
4. 高可靠性設計，可承受極端溫度條件。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛封裝。
6. 良好的熱性能，有助于延長器件壽命。
7. 緊湊的 D2PAK 封裝，便于 PCB 布局設計。
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動器中的功率級開關(guān)。
3. 太陽能逆變器和其他新能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 工業(yè)設備中的負載開關(guān)。
5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng)。
6. LED 驅(qū)動器和其他高效照明解決方案。
7. 通信基礎(chǔ)設施中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06
