FV31X153K102EEG 是一款高性能的貼片式多層陶瓷電容器(MLCC),采用X7R介質(zhì)材料,具有優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性和高容量特性。該電容器適用于高頻和低ESR應(yīng)用場合,廣泛用于濾波、去耦、旁路等電路設(shè)計中。
該型號為表面貼裝器件(SMD),適合自動化生產(chǎn)設(shè)備,確保高效組裝和高可靠性。
電容值:10μF
額定電壓:25V
公差:±10%
介質(zhì)材料:X7R
工作溫度范圍:-55℃ 至 +125℃
封裝尺寸:1210 (3225 Metric)
ESR(等效串聯(lián)電阻):≤20mΩ (典型值)
DF(耗散因數(shù)):<1% (1kHz, 20℃)
高度:≤1.2mm
FV31X153K102EEG 具有以下顯著特點:
1. 高容量密度:在小型封裝內(nèi)提供較大的電容值。
2. 溫度穩(wěn)定性:使用X7R介質(zhì)材料,在寬溫范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電容性能。
3. 低ESR和低阻抗:減少熱損耗并提升高頻性能。
4. 耐焊性:通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計,增強焊接過程中對熱沖擊的耐受能力。
5. 長壽命:經(jīng)過嚴格的老化測試,保證長期使用的穩(wěn)定性。
6. 符合RoHS標準:環(huán)保無鉛工藝制造,滿足國際環(huán)保要求。
這款電容器適用于多種電子設(shè)備中的關(guān)鍵功能模塊:
1. 電源管理:用作DC-DC轉(zhuǎn)換器輸入/輸出端的濾波電容,以降低紋波電壓。
2. 微處理器去耦:為CPU、GPU及其他高速數(shù)字芯片提供穩(wěn)定的電源電壓。
3. RF電路:作為射頻前端匹配網(wǎng)絡(luò)或諧振回路中的元件。
4. 工業(yè)控制:應(yīng)用于可編程邏輯控制器(PLC)、變頻器等工業(yè)自動化設(shè)備。
5. 消費類電子產(chǎn)品:如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備中的電源濾波和信號調(diào)節(jié)。
6. 汽車電子:在車載信息娛樂系統(tǒng)、動力管理系統(tǒng)等領(lǐng)域中使用。
FV31X153M102EEG
FV31X153K102NEG
GRM31CR61E106KA88D