FV31X471K202ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專(zhuān)為需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,確保在高電流和高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種工業(yè)電子設(shè)備。
這款功率MOSFET具有出色的熱穩(wěn)定性和耐用性,能夠在極端條件下可靠運(yùn)行。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),便于集成到不同的電路設(shè)計(jì)中。
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):80A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
柵極電荷(Qg):90nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
FV31X471K202ECG 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻,這使其非常適合用于需要高效率和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 提供了高效的功率傳輸,減少能量損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力支持高頻操作,適用于現(xiàn)代電子系統(tǒng)的高速需求。
3. 高電流承載能力確保即使在高負(fù)載情況下也能保持穩(wěn)定的性能。
4. 優(yōu)秀的熱性能允許在緊湊的設(shè)計(jì)中使用,同時(shí)維持較低的工作溫度。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
這些特性的結(jié)合使 FV31X471K202ECG 成為許多電力電子應(yīng)用的理想選擇。
該器件廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,如降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。
4. 新能源汽車(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng),提供高效且穩(wěn)定的電流控制。
6. 太陽(yáng)能逆變器中的功率級(jí)組件。
FV31X471K202ECG 憑借其強(qiáng)大的性能和可靠性,在以上應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)了卓越的價(jià)值。
FV31X471K202ECD
FV31X471K202ECE
FV31X471K202ECF