時間�2025/5/20 9:06:20
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FV32N101J202ECG是一款由富士電機（Fuji Electric）生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種電源管理和功率轉換應用。其出色的電氣性能和可靠性使其成為工�(yè)和消費電子領域中的理想選擇�
型號：FV32N101J202ECG
封裝：TO-252
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs)：�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�29A
導通電�(Rds(on))�1.8mΩ
柵極電荷(Qg)�40nC
工作溫度范圍�-55℃至+175�
FV32N101J202ECG采用了先進的工藝技術制�，具有以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻Rds(on)，能夠有效減少傳導損�，提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�，使得該器件在高頻應用中表現(xiàn)出色�
3. 強大的電流承載能力，支持高達29A的連續(xù)漏極電流�
4. 耐熱性好，能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工��
5. 封裝緊湊且易于安裝，適合空間受限的設計環(huán)境�
6. 符合RoHS標準，綠色環(huán)��
這些特性使FV32N101J202ECG成為各種功率管理電路、DC-DC轉換器和電機驅動等應用的理想選擇�
FV32N101J202ECG廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源(SMPS)設計，包括適配器、充電器��
2. DC-DC轉換�，用于高效能量轉��
3. 電機驅動電路，提供強大的電流輸出能力�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
5. 消費類電子產品中的負載切換和保護功能�
由于其出色的電氣特性和可靠�，這款MOSFET非常適合需要高效率和高性能的應用場景�
FV32N101K202ECG, FV32N101L202ECG
