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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FV32N471J202EEG

FV32N471J202EEG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 19:58:28 查看 閱讀�8

FV32N471J202EEG 是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用TO-252-3L封裝形式。該器件主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、馬�(dá)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款功率MOSFET具有47V的耐壓等級(jí),適用于中低壓應(yīng)用環(huán)�,并且優(yōu)化了柵極電荷以降低開(kāi)�(guān)損�。此�,它還支持大電流連續(xù)工作能力,適合對(duì)效率和熱性能有較高要求的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�47V
  連續(xù)漏極電流(Id)�32A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.6mΩ
  柵極電荷(Qg)�28nC
  輸入電容(Ciss)�2090pF
  輸出電容(Coss)�390pF
  反向傳輸電容(Crss)�110pF
  典型柵極閾值電�(Vgs(th))�2.6V
  功�(PD)�28W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�

特�

1. 超低�(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,可滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,柵極電荷Qg較低,能有效降低�(kāi)�(guān)損��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  5. 提供出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好性能�
  6. 封裝緊湊,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具及家用電器的馬達(dá)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的功率管理�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)和切換功��

替代型號(hào)

FV32N471J202EFG, FV32N471J202EFH

fv32n471j202eeg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)