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FV42N100J302ECG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 23:34:14 查看 閱讀：11

FV42N100J302ECG 是一款由 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）生產(chǎn)的 N 溝道 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽式工藝制造，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其額定電壓為 100V，最大持續(xù)漏極電流可達(dá) 42A，適合在高效率電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用。
　　該型號(hào)的封裝形式為 D2PAK（TO-263），具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。此外，F(xiàn)V42N100J302ECG 還具備出色的雪崩能力，能夠承受一定的瞬態(tài)過壓情況，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。

參數(shù)

額定電壓：100V
　　最大持續(xù)漏極電流：42A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.5mΩ
　　柵極電荷（Qg）：78nC
　　輸入電容（Ciss）：3390pF
　　總功耗：210W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：D2PAK（TO-263）

特性

FV42N100J302ECG 的主要特性包括：
　　1. 高效的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得其導(dǎo)通電阻非常低，從而降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 較小的柵極電荷和輸出電荷，有助于提高開關(guān)速度并減少開關(guān)損耗。
　　3. 具備增強(qiáng)型雪崩能量能力，提高了在異常條件下的魯棒性。
　　4. 支持高頻開關(guān)操作，非常適合于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洹?br>　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
　　6. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC（功率因數(shù)校正）電路。
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　FV42N100J302ECG 憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，成為許多高功率密度設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

FDP057AN, IRFB4110TRPBF, BUK7Y1R0-100E

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