FV42N330J302ECG 是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET。該器件采用 N 溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),適用于高頻開關(guān)電源、逆變器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其高耐壓和低�(dǎo)通電阻特性使其在高效能電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
型號(hào):FV42N330J302ECG
類型:MOSFET(N溝道�
最大漏源電� VDS�1200V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�42A
�(dǎo)通電� RDS(on)�1.8mΩ(典型�,VGS=15V�
柵極電荷 Qg�75nC(典型值)
開關(guān)速度:快速恢�(fù)
封裝形式:D2PAK (TO-263)
FV42N330J302ECG 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 僅為 1.8mΩ(VGS=15V),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷�(shè)�(jì)確保了高效的開關(guān)操作,減少了開關(guān)損耗�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),提升了散熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間工作于高溫條件��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材料使用,滿足全球電子�(chǎn)品的�(huán)保要��
6. 封裝緊湊:D2PAK 封裝形式便于安裝,并提供良好的電氣連接與散熱效��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 開關(guān)電源�
2. 太陽(yáng)能逆變器及�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
3. 電動(dòng)車(EV)和混合�(dòng)力車(HEV)中的電�(jī)控制器�
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
5. 各類需要高效率、高壓工作的工業(yè)�(jí)功率控制�(chǎng)��
FV40N120J302EFG, FV50N1200J302EAG