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FV42N330J302ECG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 11:43:56 查看 閱讀:13

FV42N330J302ECG 是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生產(chǎn)的高壓功率 MOSFET。該器件采用 N 溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu),適用于高頻開關(guān)電源、逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在高效能電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

型號(hào):FV42N330J302ECG
  類型:MOSFET(N溝道)
  最大漏源電壓 VDS:1200V
  最大柵源電壓 VGS:±20V
  連續(xù)漏極電流 ID:42A
  導(dǎo)通電阻 RDS(on):1.8mΩ(典型值,VGS=15V)
  柵極電荷 Qg:75nC(典型值)
  開關(guān)速度:快速恢復(fù)
  封裝形式:D2PAK (TO-263)

特性

FV42N330J302ECG 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
  1. 高耐壓能力:能夠承受高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
  2. 低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 僅為 1.8mΩ(VGS=15V),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高效率。
  3. 快速開關(guān)性能:低柵極電荷設(shè)計(jì)確保了高效的開關(guān)操作,減少了開關(guān)損耗。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),提升了散熱性能,適合長(zhǎng)時(shí)間工作于高溫條件下。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保材料使用,滿足全球電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。
  6. 封裝緊湊:D2PAK 封裝形式便于安裝,并提供良好的電氣連接與散熱效果。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 開關(guān)電源。
  2. 太陽(yáng)能逆變器及風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  3. 電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)中的電機(jī)控制器。
  4. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  5. 各類需要高效率、高壓工作的工業(yè)級(jí)功率控制場(chǎng)合。

替代型號(hào)

FV40N120J302EFG, FV50N1200J302EAG

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