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FV42X221K302ECG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 21:48:03 查看 閱讀�19

FV42X221K302ECG是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適合用于各種電源管理應(yīng)用,如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��

參數(shù)

型號(hào):FV42X221K302ECG
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�42A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  總柵極電�(Qg)�85nC
  輸入電容(Ciss)�3300pF
  輸出電容(Coss)�950pF
  反向傳輸電容(Crss)�170pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263-3(D2PAK�

特�

FV42X221K302ECG具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�2.2mΩ,有效降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)性能,總柵極電荷�85nC,可顯著減少開關(guān)損��
  3. 高額定電流能力,支持高達(dá)42A的連續(xù)漏極電流�
  4. 寬泛的工作電壓范圍,能夠承受高達(dá)60V的漏源電��
  5. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),有助于提升系統(tǒng)的整體可靠��
  6. 封裝緊湊且兼容性強(qiáng),易于集成到�(xiàn)有設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的高效功率�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. �(fù)載切換與保護(hù)電路中的電子開關(guān)功能�
  5. 新能源領(lǐng)域中的逆變器和�(zhuǎn)換器組件�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與負(fù)載均衡模塊�

替代型號(hào)

FV42X221K302ECJ, FV42X221K302ECK, IRF3205, AO4414

fv42x221k302ecg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fv42x221k302ecg�(chǎn)�