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時(shí)間：2025/5/30 19:26:38
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FV43N471J102EFG是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和性能。
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)景，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)電路以及負(fù)載開關(guān)等。其封裝形式為TO-252(DPAK)，適合表面貼裝工藝，同時(shí)具備良好的散熱性能。
型號(hào)：FV43N471J102EFG
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極間電壓)：470V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)：1.02Ω
ID(連續(xù)漏極電流)：2.8A
Qg(柵極電荷)：30nC
fSW(最大開關(guān)頻率)：500kHz
結(jié)溫范圍：-55℃ to +150℃
封裝：TO-252(DPAK)
1. 高耐壓能力，VDS高達(dá)470V，可滿足高壓應(yīng)用需求。
2. 低導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1.02Ω，在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下降低功耗。
3. 快速開關(guān)特性，支持高達(dá)500kHz的工作頻率，適合高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
4. 柵極電荷較低(Qg=30nC)，有助于減少開關(guān)損耗。
5. 工作溫度范圍寬廣，能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)，適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色制造要求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
5. 各種工業(yè)控制和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
6. 光伏逆變器和其他新能源設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組件。
FV43N470J102EFG, FV43N472J102EFG
