FV43X332K202EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該芯片具有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性,適用于要求苛刻的工作�(huán)�,同�(shí)其封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
型號(hào):FV43X332K202EFG
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�50A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�2mΩ(典型�,在V_GS=10V條件下)
輸入電容(Ciss)�4700pF
開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)�(t_d(on))�8ns,關(guān)斷傳播時(shí)�(t_d(off))�12ns
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻R_DS(on),有效減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
3. 高度可靠的熱性能和電氣穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
4. 具備�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),增�(qiáng)了系�(tǒng)的耐用��
5. 封裝�(shè)�(jì)支持高效的散熱管�,適合高功率密度�(yīng)用�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,無(wú)有害物質(zhì)使用�
7. 可靠的短路耐受能力,確保安全運(yùn)行�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或高頻PWM控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂或斬波電��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車�(dòng)力系�(tǒng)�
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的電子�(shè)�,包括服�(wù)器電源、通信電源和消�(fèi)類電子產(chǎn)��
FV43X332K201EFG, IRF3710, FDP55N06L