FV55N333J102EGG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件主要�(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�,能夠提供出色的�(dǎo)通性能和低開關(guān)損��
這款芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,同時優(yōu)化了柵極電荷以提高開�(guān)速度。其封裝形式通常為TO-220或DPAK,具有良好的散熱性能�
最大漏源電壓:330V
連續(xù)漏極電流�5.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.2Ω
柵極閾值電壓:4V
總柵極電荷:65nC
功耗:�7W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保高效運(yùn)�,減少發(fā)熱和能量損失�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 具備�(qiáng)大的雪崩擊穿能力和抗靜電保護(hù)�(shè)�,提高了系統(tǒng)可靠��
4. 封裝形式支持表面貼裝和通孔安裝,靈活適�(yīng)多種PCB布局需��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)計�
6. 提供�(wěn)健的熱性能,適合高溫工�(yè)場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)控制和驅(qū)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. �(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模�
6. LED�(qū)動電路及各類電子�(fù)載應(yīng)�
FV55N333J101EGG, IRF540N, FQP50N06L