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FV55X222K202EFG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:49:25 查看 閱讀�19

FV55X222K202EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其�(shè)�(jì)旨在提供卓越的電氣特性和可靠性,適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�48nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�37ns,關(guān)斷時(shí)�25ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

FV55X222K202EFG的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(yīng)��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 良好的熱性能,有助于�(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì)并提升整體可靠性�
  5. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),降低了�(qū)�(dòng)損耗并增強(qiáng)了穩(wěn)定性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種行�(yè)�(guī)范要求�

�(yīng)�

該功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)或同步整流器�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�
  4. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池充電管理和電源管理單元�

替代型號(hào)

FV55X222K201EFG, IRF540N, AO3400

fv55x222k202efg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)