FV55X222K202EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其�(shè)�(jì)旨在提供卓越的電氣特性和可靠性,適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�48nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�37ns,關(guān)斷時(shí)�25ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
FV55X222K202EFG的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(yīng)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 良好的熱性能,有助于�(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì)并提升整體可靠性�
5. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),降低了�(qū)�(dòng)損耗并增強(qiáng)了穩(wěn)定性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種行�(yè)�(guī)范要求�
該功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)或同步整流器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�
4. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池充電管理和電源管理單元�
FV55X222K201EFG, IRF540N, AO3400