G04N60是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高電壓開關(guān)場景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種工業(yè)控制應(yīng)用。
它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠在高頻條件下高效工作,并且具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
型號:G04N60
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds:600V
最大柵源電壓Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流Id:4A
導(dǎo)通電阻Rds(on):1.2Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
功耗Pd:180W
結(jié)溫范圍Tj:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-220
G04N60的顯著特點(diǎn)包括高耐壓能力(高達(dá)600V),能夠承受較高的漏源電壓,適合在高壓環(huán)境中使用。
其低導(dǎo)通電阻(典型值為1.2Ω)有助于減少功率損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
同時(shí),它支持快速開關(guān)操作,動(dòng)態(tài)性能優(yōu)越,能夠適應(yīng)高頻開關(guān)應(yīng)用場景。
G04N60還具有出色的熱穩(wěn)定性,可以在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行,適用于惡劣的工作環(huán)境。
此外,其緊湊的TO-220封裝形式方便安裝和散熱設(shè)計(jì),適合多種工業(yè)應(yīng)用需求。
G04N60廣泛用于需要高壓開關(guān)的場合,例如開關(guān)電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源(UPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
由于其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻,非常適合用作功率級開關(guān)元件,可顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
此外,它還可以用于負(fù)載切換、電池保護(hù)和過流保護(hù)等電路中。
IRFZ44N
STP4NS06L
FDP18N60