G04N60是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高電壓開�(guān)場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)控制�(yīng)��
它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠在高頻條件下高效工�,并且具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
型號:G04N60
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds�600V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�4A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.2Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
功耗Pd�180W
�(jié)溫范圍Tj�-55� to +175�
封裝形式:TO-220
G04N60的顯著特�(diǎn)包括高耐壓能力(高�(dá)600V�,能夠承受較高的漏源電壓,適合在高壓�(huán)境中使用�
其低�(dǎo)通電阻(典型值為1.2Ω)有助于減少功率損�,從而提高系�(tǒng)效率�
同時(shí),它支持快速開�(guān)操作,動(dòng)�(tài)性能�(yōu)越,能夠適應(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用場��
G04N60還具有出色的熱穩(wěn)定�,可以在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)�,適用于惡劣的工作環(huán)��
此外,其緊湊的TO-220封裝形式方便安裝和散熱設(shè)�(jì),適合多種工�(yè)�(yīng)用需求�
G04N60廣泛用于需要高壓開�(guān)的場�,例如開�(guān)電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、逆變�、不間斷電源(UPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及各種工�(yè)自動(dòng)化設(shè)��
由于其高擊穿電壓和低�(dǎo)通電�,非常適合用作功率級開關(guān)元件,可顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠��
此外,它還可以用于負(fù)載切�、電池保�(hù)和過流保�(hù)等電路中�
IRFZ44N
STP4NS06L
FDP18N60