G21.B 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而有效降低了功耗并提升了系�(tǒng)效率�
其封裝形式多�,可根據(jù)�(shí)際應(yīng)用需求選擇合適的封裝類型,以滿足不同的散熱和空間限制要求。此外,G21.B 具備出色的耐熱特性和抗浪涌能力,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)速度�20ns
工作溫度范圍�-55℃~175�
G21.B 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損��
3. 良好的熱�(wěn)定性,支持在極端溫度環(huán)境下可靠�(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的魯棒��
5. 小型化封裝選�(xiàng),適合對(duì)空間要求�(yán)格的緊湊型設(shè)�(jì)�
6. 支持多種保護(hù)功能(如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�,提升了系統(tǒng)的安全性�
G21.B 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源和適配器中的功率�(zhuǎn)換模��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向和制動(dòng)系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制單��
5. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和控制器�
6. DC-DC�(zhuǎn)換器和其他需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)��
IRF540N
FDP5800
AOD510
STP55NF06L